RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 12, страницы 2221–2223 (Mi phts3658)

Краткие сообщения

Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии

А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец




© МИАН, 2024