RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1989
, том 23,
выпуск 12,
страницы
2221–2223
(Mi phts3658)
Краткие сообщения
Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии
А. Г. Абдусаттаров
,
В. В. Емцев
,
Т. В. Машовец
Полный текст:
PDF файл (464 kB)
©
МИАН
, 2024