Гальваномагнитные эффекты в сплаве $p$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te ($x=0.2$), облученном электронами

Исследовано влияние электронного облучения (${T \approx 300}$ К, ${E=6}$ МэВ, ${\Phi \leqslant 8.3\cdot 10^{17}}$ см$^{-2}$) на электрофизические свойства $p$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te ($x=0.2$). Обнаружены уменьшение концентрации дырок и скорости изменения концентрации дырок при облучении, а также нелинейность нолевых зависимостей холловского напряжения в облученных образцах. Полученные в работе результаты объяснены в предположении возникновения при облучении зоны резонансных состояний вблизи потолка валентной зоны сплава, \glqqмягко» стабилизирующей уровень Ферми в облученных образцах. Проанализированы возможные модели энергетического спектра сплава Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te ($x= 0.2$), облученного электронами. В рамках предложенных моделей рассчитаны параметры зоны резонансных состояний, индуцированной электронным облучением в энергетическом спектре $p$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te ($x=0.2$).