Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений

Методами низкотемпературной фотолюминесценции и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследованы эпитаксиальные слои арсенида галлия, полученные газофазовой эпитаксией из металлоорганических соединений, легированные изовалентной примесью — индием. Обнаружено, что даже при весьма низкой концентрации индия ($<2\cdot 10^{19}$ см$^{-3}$) происходят заметные изменения концентраций мелких доноров и акцепторов, а также глубоких уровней. Полученные экспериментальные данные анализируются с учетом результатов предшествующих исследований изовалентного легирования арсенида галлия.