Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном $n$-GaAs

Впервые в $n$-GaAs наблюдалась фосфоресценция, связанная с высвобождением дырок из метастабильных состояний, происходящая при фотоионизации глубоких уровней. Обнаружено, что фотоионизация сопровождается сильным перезахватом неосновных носителей на глубокие уровни. Сделан вывод об определяющей роли глубоких уровней в компенсации нелегированных слоев, выращенных методом газотранспортной эпитаксии.