Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов $p$-GaInSbAs

Проведено совместное исследование электрических и фотоэлектрических свойств твердых растворов GaInSbAs с целью определения основных электрических параметров материала и энергетической структуры запрещенной зоны.
Установлено, что специально не легированные твердые растворы в области составов $0.1 \leqslant x \leqslant 0.22$ обладают дырочной проводимостью, при этом концентрация дырок уменьшается почти на порядок с увеличением $x$ от 0 до $\simeq0.2$.
Показано, что доминирующую роль в дырочной проводимости играют мелкие примесные уровни с энергией активации $E_{A_{1}}\leqslant 0.01$ эВ. Выявлены двухзарядные акцепторы с энергиями активации $E_{A_{2}}=0.03-0.035$ и $E_{A_{3}}=0.07$ эВ, обусловленные природными структурными дефектами $V_{\text{Ga}}$Ga$_{\text{Sb}}$ с концентрацией, на порядок меньшей, чем в $p$-GaSb. В твердых растворах в присутствии атомов теллура обнаружен глубокий структурный дефект с $E_{A_{4}} =0.1$ эВ, образованный, вероятно, вакансией галлия с теллуром ($V_{\text{Ga}}{-}$Te).