Аннотация:
Построена количественная теория междупарной
излучательной рекомбинации носителей в аморфном полупроводнике при
низких температурах. Наряду с процессами электронно-дырочной
рекомбинации учитываются процессы прыжковой
энергетической релаксации электронов и дырок
по локализованным состояниям хвостов зон. Выведена система нелинейных интегральных уравнений,
позволяющая рассчитать функцию распределения неравновесных
носителей по локализованным состояниям в условиях,
стационарной генерации. Эта система уравнений решена численно на
ЭВМ, и получены спектры фотолюминесценции, обусловленной
туннельной излучательной рекомбинацией электронов и
дырок, докализованных в хвостах зон. Рассчитана фотопроводимость,
связанная с прыжковым движением электронов в
процессе энергетической релаксации. Результаты расчета неплохо
согласуются с экспериментальными данными для
гидрированного аморфного кремния.