Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник$-$диэлектрик

Развиты теория и методика анализа результатов релаксационных экспериментов по спектроскопии электронных состояний, локализованных в области границы раздела полупроводник$-$диэлектрик, в частности, в условиях туннельного обмена носителями заряда между этими состояниями и разрешенными зонами полупроводника. Построены алгоритмы выделения и обработки сигналов полевой релаксационной спектроскопии (ПРС) из нестационарных полевых зависимостей разрядного тока МДП структуры, регистрируемых одновременно с ВЧ вольтфарадными характеристиками при линейном законе изменения напряжения. На примере Si$-$МОП структур с помощью экспериментов, выполненных в области температур 50$-$90 K, показано, что ПРС — эффективный инструмент исследования характеристик мелких пограничных состояний, в частности области их пространственной локализации. Тем самым ПРС открывает новые возможности изучения влияния конструктивных и технологических факторов на плотность мелких электронных состояний, обусловливающих избыточный шум и нестабильность порогового напряжения полевых транзисторов, в особенности при низких температурах.