Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутых ультразвуковой обработке

Исследовано влияние ультразвуковой обработки (УЗО) на характеристики шоклиридовской рекомбинации через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x\sim 0.226$).
На основании экспериментальных температурных (77$\div$180 K) зависимостей времени жизни ННЗ $\tau$ и холловских измерений при 77 К электрофизических параметров ($n_{0}$, $\mu_{n}$) показано, что в зависимости от режимов УЗО наблюдаются как уменьшение числа рекомбинационных центров (рост $\tau$), так и их увеличение (падение $\tau$).