Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах

Предложена количественная модель кинетики формирования точечных радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах, учитывающая диффузию, дрейф подвижных многозарядных компонентов пар Френкеля, а также процессы формирования стабильных комплексов. Показано, что вариация условий электронного облучения существенно влияет на профили концентрации дефектов в структуре и это должно учитываться при прогнозировании изменения электрофизических параметров диода.