Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников

Показано, что в слабо компенсированных слабо легированных образцах $n$- и $p$-кремння в области температурного насыщения прыжковой проводимости электропроводность уменьшается с ростом электрического поля (отрицательная неомичность). В предельно слабо компенсированных образцах этот эффект настолько силен, что приводит к возникновению отрицательной дифференциальной проводимости. В таких образцах наблюдаются осцилляция тока, связанные с развитием доменной неустойчивости. При понижении температуры, когда возникает энергия активации $\varepsilon_{3}$, отрицательная неомичность исчезает и электропроводность становится возрастающей функцией поля (положительная неомичность).
Построена теория отрицательной неомичности как следствия захвата электронов в мертвые концы бесконечного кластера. Теория позволяет также описать ослабление отрицательной неомичности и переход к положительной с ростом степени компенсации и понижением температуры.