Нейтральное состояние глубокого акцептора Cu$_{\text{Ga}}$ в арсениде галлия

Приводятся результаты поляризационных характеристик полосы фотолюминесценции с максимумом около 1.36 эВ, возникающей в GaAs при введении меди. Показано, что данные пьезоспектроскопических и магнитооптических измерений, а также экспериментов по оптической ориентации электронов полностью объясняются в рамках следующей простой модели обусловливающего эту полосу глубокого акцептора Cu$_{\text{Ga}}$. Акцепторный центр (Cu$_{\text{Ga}}$ + атомы окружения) в излучающем состоянии нейтрален и связывает две дырки. Вследствие эффекта Яна–Теллера этот центр испытывает деформацию, выделяющую одну из осей [100]. При этом обменное взаимодействие дырок на центре мало по сравнению с их взаимодействием с локальными колебаниями, вызывающими эффект Яна–Теллера. В основном состоянии обе дырки характеризуются угловым моментом ${ J=3/2}$ с проекциями на выделенную ось центра, равными 1/2 и $-1/2$.