А. Н. Бузынин, С. Е. Заболотский, В. П. Калинушкин, А. Е. Лукьянов, Т. М. Мурина, В. В. Осико, М. Г. Плоппа, В. М. Татаринцев, А. М. Эйдензон, “Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского”, Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 2,страницы 264

Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского

А. Н. Бузынин, С. Е. Заболотский, В. П. Калинушкин, А. Е. Лукьянов, Т. М. Мурина, В. В. Осико, М. Г. Плоппа, В. М. Татаринцев, А. М. Эйдензон

Аннотация: Исследовались кристаллы бездислокационного кремния, выращенного методом Чохральского и легированные бором. Крупномасштабные примесные скопления, размеры которых колеблются в широких пределах и зависят от скорости роста кристаллов, зарегистрированы методами наведенного тока и рассеяния света. Обнаруженные дефекты не вызывают сильных искажений кристаллической решетки и не являются крупномасштабными структурными дефектами.