Определение электрофизических параметров полупроводников методом математического моделирования сигнала индуцированного тока

Построена адекватная математическая модель формирования сигнала индуцированного тока в микронных и субмикронных полупроводниковых слоях при сканировании плоскости скола электронным пучком произвольной энергии. Показана возможность определения в таких слоях методом математического моделирования значений диффузионных длин, сравнимых с толщиной слоя, а также скоростей поверхностной и интерфейсной рекомбинации. Установлены предельные возможности метода при измерении диффузионной длины. Метод использован для определения электрофизических параметров гетероструктур GaAs$-$GaAlAs.