RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 2, страницы 283–286 (Mi phts3715)

Локальные состояния в In$_{x}$Bi$_{2-x}$Te$_{3}$

С. А. Азоу, В. А. Кульбачинский, Г. А. Миронова, С. Я. Скипидаров


Аннотация: Исследованы проводимость, эффекты Холла и Шубникова$-$де-Гааза в твердых растворах теллурида висмута с теллуридом индия при низких температурах и под давлением. При $T<10$ K наблюдается вымораживание носителей заряда. При $T=4.2$ K под действием всестороннего сжатия сопротивление и коэффициент Холла уменьшаются, что может быть объяснено перераспределением носителей между локальными состояниями и зоной легких дырок.



© МИАН, 2024