$\Gamma X$-перенос в реальном пространстве $N$-ОДП в слоистой структуре

Рассчитана зависимость средней по периодической $\Gamma X\Gamma X\ldots$-гетероструктуре дрейфовой скорости продольного транспорта горячих электронов $\overline{v}_{d}$ от продольного греющего электрического поля $E$. Использованы параметры гетеропары GaAs/AlAs с полупериодом 400 Å. Показано, что вследствие переноса электронов в реальном пространстве из GaAs в AlAs с одновременным междолинным $\Gamma X$-переходом зависимость $\overline{v}_{d}(E)$ имеет падающий участок при значениях $E$, существенно более низких, чем в однородном GaAs, и с гораздо большим отношением $(\overline{v}_{d})_{\text{peak}}/(\overline{v}_{d})_{\text{valley}}$.
При расчете учтены как переход электронов через гетерограницу по вышележащим $L$-долинам, так и непосредственный $\Gamma X$-переход — бесфононный и с поглощением или испусканием междолинного фонона. $\Gamma X$-перенос полностью преобладает при 77 K, а при 290 K он преобладает для транспорта из AlAs в GaAs, тогда как для обратного транспорта на всем падающем участке ВАХ доминирует $LL$-перенос.