Влияние приповерхностного электрического поля на анизотропию оптического отарежения поверхности (110) арсенида галлия

Исследовался эффект анизотропии оптического отражения поверхности (110) арсенида галлия. Эффект состоит в том, что в спектральной области выше края фундаментального поглощения коэффициенты отражения $R_{\parallel}$ и $R_{\perp}$ света, линейно поляризованного соответственно вдоль двух лежащих на данной плоскости осей [$\bar{1}$10] и [001], оказываются различными. При регистрации эффекта использовалась методика модуляции поляризации падающего излучения. Эксперименты выполнялись на образцах GaAs с разным уровнем легирования, а также на поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs при приложении напряжения смещения. Установлено, что эффекты анизотропии отражения, которые возникают в кристаллах при возрастании концентрации носителей заряда и в структурах при увеличении напряжения смещения, полностью аналогичны и вызваны действием приповерхностного электрического поля $E_{s}$ в области изгиба зон. В обоих случаях выделен сигнал анизотропии, наводимый электрическим полем. Количественные исследования показывают, что амплитуда такого сигнала возрастает пропорционально $E_{s}^{2}$, что согласуется с представлениями теории электрооптических эффектов для случая поверхности (110) и нормального к ней электрического поля.