RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1990
, том 24,
выпуск 2,
страницы
361–363
(Mi phts3731)
Краткие сообщения
Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As
$-$
GaAs-гетероструктурах с двойным барьером
Ж. И. Алфров
, В. В. Журавлева
,
С. В. Иванов
,
П. С. Копьев
,
В. И. Корольков
,
Н. Н. Леденцов
,
Б. Я. Мельцер
,
Т. С. Табаров
Полный текст:
PDF файл (376 kB)
©
МИАН
, 2024