Вольтамперные характеристики поверхностно-барьерных структур Au$-$GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

Исследованы температурные зависимости вольтамперных характеристик барьеров Шоттки Au$-$GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ ${0.01 < x< 0.12}$ в диапазоне температур ${77\leqslant T\leqslant300}$ K. Определены технологические параметры барьеров: толщина диэлектрической прослойки ${20\div30}$ Å и плотность поверхностных состояний ${(0.5\div4)\cdot10^{13}\,\text{см}^{-2}\cdot\text{эВ}^{-1}}$. Показано, что как при прямых, так и при обратных смещениях ток определяется туннелированием через места с повышенной вероятностью туннелирования, связанные с поверхностными состояниями на границе окисел–твердый раствор. Обнаружено, что формирование этих поверхностных состояний, плотность которых имеет минимум при составах твердого раствора ${x\simeq0.06}$, главным образом обусловлено дефектами, развивающимися из объема полупроводника.