Двумерные ганновские домены в слоистых структурах

Рассмотрено поведение ганновских доменов в ряде слоистых полупроводниковых структур. Для одиночной плоской тонкой ямы, по которой движутся электроны, и для сверхрешетки, состоящей из таких ям, даны критерии неустойчивости однородного (бездоменного) параллельного транспорта носителей. Численное моделирование этих, а также $\delta$-легированной структур на основе диффузионно-дрейфового приближения показало, что распределения тянущих полей и суммарной по поперечной координате концентрации в них весьма схожи и напоминают аналогичные распределения в однородно легированных полупроводниках. Отмечен также ряд особенностей ганновской доменизации в слоистых структурах.