Аннотация:
Рассмотрена проблема интерпретации данных
термостимулированного разряда МДП конденсатора с
распределенными по энергии электронными состояниями
на границе раздела полупроводник$-$диэлектрик и дискретными
ловушками в приповерхностном слое полупроводника.
Показано, что интерпретация на основе существующих
теоретических представлений может приводить к физически
абсурдным результатам. Получено аналитическое выражение
для температурной зависимости эффективного уровня
энергии, разделяющего уже пустые и еще заполненные
локализованные электронные состояния. Факт наличия
на этой зависимости экстремумов может служить
экспериментальным критерием сосуществования в
объекте исследования дискретных и плавно распределенных
по энергии локализованных состояний.