Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода

Методами емкостной спектроскопии глубоких уровней и фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы монокристаллы арсенида галлия, выращенные методом Чохральского с введением в загрузку оксида галлия. Установлено, что в кристаллах с низким удельным сопротивлением наряду с центром $EL2$ присутствует близкий по энергии центр $EL0$ концентрация которого растет при увеличении содержания кислорода и не зависит от стехиометрии кристалла. В полуизолирующих кристаллах выявлена электронная ловушка с энергией ионизации 0.7 эВ, поведение которой сходно с поведением центра $EL0$. Существование глубокого центра, связанного с кислородом, определяет возможность получения полуизолирующих кристаллов арсенида галлия с низким содержанием мелких примесных доноров и акцепторов из расплава, обогащенного галлием.