Влияние деформационных напряжений границы раздела Si$-$SiO$_{2}$ на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии

Изучены процессы накопления и отжига радиационных дефектов в структурах, изготовленных из пластин монокристаллического кремния КЭФ-7.5, на которых термическим окислением выращивался слой SiO$_{2}$ и затем наносился поликремний. В качестве контрольного материала использовались объемные кристаллы КЭФ-7.5. На различных этапах облучения $\gamma$-квантами $^{60}$Co ($T_{\text{обл}} \leqslant50^{\circ}$С) и 15-минутного изохронного отжига методом Ван-дер-Пау измерялись температурные ($T_{\text{изм}}=80\div 400$ K) зависимости коэффициента Холла и электропроводности, а методом модуляции проводимости в точечном контакте — инжекционные зависимости времени жизни неосновных носителей заряда. Установлено, что в структурах скорости образования комплексов углерод$-$кислород$-$дивакансия выше, а $A$-центров ниже, чем в контрольных образцах кремния. Отжиг этих дефектов в структурах начинается раньше и происходит в более широком интервале температур. Объяснение полученных результатов дано на основе представлении, учитывающих влияние деформационных напряжений и искажения кристаллической решетки вблизи границы раздела Si$-$SiO$_{2}$, а также наличие высокой плотности дислокаций, которые возникают в процессе создания структур и окружены примесной атмосферой.