Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs с селективным легированием

Теоретически исследован пространственный перенос электронов в структуре металл$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs с селективным легированием при их разогреве в продольном электрическом поле. Проанализирована зависимость величины эффекта от напряжения на металле (затворе) при 300 и 77 К. Использована математическая модель, основанная на учете размерного квантования энергии электронов в приближении треугольной потенциальной ямы и нестационарного разогрева электронов в квазигидродинамическом приближении. Показано, что при определенных параметрах структуры пространственный перенос электронов может уменьшать или даже полностью устранять ее отрицательную дифференциальную проводимость.