М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой”, Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 9,страницы 1654

Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой

М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков

Аннотация: Получены структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной ВАХ, сохраняющейся до температур ${\sim800}$ K. $S$-образность ВАХ связывается с радиационными дефектами, образующимися при ионной имплантации ($i$-центрами).
Емкостным методом исследован профиль распределения $i$-центров в области $p{-}n$-перехода.