RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 9, страницы 1662–1666 (Mi phts379)

Влияние обменного взаимодействия на гальваномагнитные явления в сильно легированном $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te с ${\varepsilon_{g}>0}$

А. В. Германенко, В. В. Кружаев, Г. М. Миньков, О. Э. Рут


Аннотация: Исследованы полевые и температурные зависимости постоянной Холла $R_{X}$ и магнитосопротивления $\rho$ сильно легированного $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te с ${\varepsilon_{g}>0}$ в интервале температур $1.8{-}200$ K и в магнитных полях до 220 кЭ. Показано, что наибольшее изменение $R_{X}(H, T)$ и $\rho(H,T)$ наблюдается в более компенсированных образцах. Полученные результаты качественно согласуются с моделью сильно легированного сильно компенсированного разбавленного магнитного полупроводника $p$-типа с вырожденной валентной зоной.



© МИАН, 2024