Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения

Исследовались фотопроводимость и пропускание двумерного электронного газа в зависимости от магнитного поля $B$ при воздействии лазерного излучения дальнего ИК диапазона. При факторе заполнения уровней Ландау $\nu \sim 10$ амплитуда, форма и знак фотосигнала зависят от положения линии ЦР относительно осцилляции Шубникова$-$де-Гааза, что соответствует болометрической модели фотоотклика.