Поперечный транспорт в двубарьерной гетероструктуре в условиях разогрева носителей

Исследуются вольтамперные характеристики \glqqкоротких» гетероструктур барьер$-$яма$-$барьер с учетом разогрева и перераспределения носителей в яме. Показано, что вольтамперная характеристика короткой гетероструктуры может иметь $S$-образный вид в широком интервале температур решетки полупроводника.