Физика и техника полупроводников,
1990, том 24, выпуск 4,страницы 706–709(Mi phts3807)
Температурная и концентрационная зависимости положения линии
излучения локализованных экситонов твердых полупроводниковых
растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$S
Аннотация:
Представление о локализации экситонов
в твердых широкозонных полупроводниковых растворах на
оптимальных флуктуациях концентрации используется
для объяснения температурной и концентрационной
зависимостей положения максимума линии спектра
люминесценции Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$S.