RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4, страницы 706–709 (Mi phts3807)

Температурная и концентрационная зависимости положения линии излучения локализованных экситонов твердых полупроводниковых растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$S

В. А. Яковлев, С. В. Яковлев


Аннотация: Представление о локализации экситонов в твердых широкозонных полупроводниковых растворах на оптимальных флуктуациях концентрации используется для объяснения температурной и концентрационной зависимостей положения максимума линии спектра люминесценции Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$S.



© МИАН, 2024