П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4,страницы 717

Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов

П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов

Аннотация: Методом МПЭ получены на подложках GaAs гетероструктуры GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами и исследованы их магнитотранспортные свойства. Введение в конструкцию структуры дополнительной узкой квантовой ямы позволило значительно увеличить подвижность носителей при низких температурах.