Электропроводность $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур GaAs микронной и субмикронной длин в слабо греющем электрическом поле

На микронных и субмикронных $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структурах GaAs (длина $n$-области $L =0.25\div 8$ мкм, а концентрация электронов в ней $2\cdot 10^{17}$ см$^{-3}$) в слабо греющих электрических полях ($\leqslant100$ В/см) при температурах решетки $295\div 78$ K измерены зависимости коэффициента нелинейности вольтамперной характеристики $\beta$ от длины $L$. Обнаружено, что уменьшение $L$ до величин, соизмеримых с характерной длиной остывания электронов, приводит к значительному падению абсолютного значения $\beta$. Показано, что основной причиной эффекта является теплопроводность электронного газа, обусловливающая вынос энергии теплых электронов через контакт и понижение степени среднего по объему разогрева носителей заряда в $n$-области.