RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4, страницы 724–730 (Mi phts3811)

Микроплазмы в идеально однородных $p{-}i{-}n$-структурах

В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, В. В. Осипов


Аннотация: Установлено, что микроплазмы — локальные (размером порядка 1 мкм) области сильной ударной ионизации могут возникать в идеально однородных по площади $p{-}n$-переходах. Микроплазма является ярким примером узкого пичкового автосолитона гигантской амплитуды, который можно возбудить при относительно малом коэффициенте размножения носителей ($M \sim 10^{2}\div 10^{3}$) с помощью кратковременного освещения локальной области в плоскости $p{-}n$-перехода импульсом света, поглощение которого приводит к фотогенерации электронно-дырочных пар в области пространственного заряда структуры. С помощью численных экспериментов установлено, что после выключения импульса света в $p{-}i{-}n$-структуре самопроизвольно формируется устойчивая микроплазма, коэффициент умножения носителей $M$ в которой в $10^{5}{-}10^{9}$ раз может превышать значение $M$ при однородном пробое (вне микроплазмы). Численно изучены кинетика возникновения микроплазм, их форма, а также зависимости размера и амплитуды тока в микроплазме от падения напряжения на структуре.



© МИАН, 2024