RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4, страницы 742–746 (Mi phts3814)

Разогрев электронного газа высокочастотным электрическим полем в активной области полупроводникового гетеролазера

В. Б. Горфинкель, И. И. Филатов


Аннотация: Теоретически исследовано влияние разогрева электронного газа электрическим полем, $E(t)$ в активной области гетеролазера на коэффициент усиления $\alpha$ световой волны. Греющее поле $E=E_{0}+E_{1}\sin (2\pi ft)$ прикладывалось параллельно слоям гетероструктуры. Показано, что в зависимости от соотношения переменной и постоянной составляющих греющего поля $E_{0}$ и $E_{1}$ модуляция величины а может осуществляться как с частотой сигнала $f$, так и с удвоенной частотой $2f$ вплоть до значений $f\sim400$ ГГц. Воздействие импульсами греющего поля пикосекундной длительности приводит к импульсному выключению гетеролазера с временем задержки порядка 1 пс.



© МИАН, 2024