RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1990
, том 24,
выпуск 4,
страницы
747–749
(Mi phts3815)
Краткие сообщения
Влияние облучения ионами He
$^{2+}$
на диффузионную длину неосновных носителей заряда в ZnSe
А. П. Оконечников
, Н. Н. Мельник
,
Ф. Ф. Гаврилов
Полный текст:
PDF файл (329 kB)
©
МИАН
, 2024