RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4, страницы 747–749 (Mi phts3815)

Краткие сообщения

Влияние облучения ионами He$^{2+}$ на диффузионную длину неосновных носителей заряда в ZnSe

А. П. Оконечников, Н. Н. Мельник, Ф. Ф. Гаврилов




© МИАН, 2024