Анизотропные распределения горячих носителей в вырожденных полупроводниках

Проведен анализ решений кинетического уравнения для вырожденных носителей в условиях, когда преобладает неупругое рассеяние носителей на оптических фононах. Найдена область изменения величин электрического поля и концентрации, в которой реализуется существенно анизотропное распределение носителей — вырожденный стриминг. Показано, что в условиях рассеяния на оптических фононах вид функции распределения, ее характерные масштабы зависят от параметра отношения безразмерных концентрации и электрического поля.