RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 5, страницы 805–812 (Mi phts3831)

Электрофизические свойства сплавов Cu$_{2-x}$Se, легированных электроактивными добавками

М. А. Коржуев, В. Ф. Банкина, Б. А. Ефимова, Н. Н. Филипович


Аннотация: Установлено, что легирующие добавки (In, Sb, Al, Sn, Zn, Er, Dy, Nd) изменяют концентрацию дырок $p$ в сплавах селенида меди Cu$_{2-x}$Se в соответствии с их валентностью.
Минимально достижимая в сплавах концентрация ${p\sim10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ при комнатной температуре определяется эффектами самолегирования и слабо изменяется при введении легирующих добавок.
Температурные зависимости электрофизических свойств Cu$_{2-x}$Se качественно не изменяются при легировании, однако абсолютные значения подвижности дырок уменьшаются вследствие увеличения доли примесного рассеяния.



© МИАН, 2024