Аннотация:
Установлено, что легирующие добавки (In, Sb, Al, Sn, Zn, Er,
Dy, Nd)
изменяют концентрацию дырок $p$ в сплавах селенида меди
Cu$_{2-x}$Se в соответствии с их валентностью. Минимально достижимая в сплавах концентрация
${p\sim10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ при комнатной температуре
определяется эффектами самолегирования и слабо изменяется при введении
легирующих добавок. Температурные зависимости электрофизических
свойств Cu$_{2-x}$Se качественно не изменяются при легировании,
однако абсолютные значения подвижности дырок уменьшаются
вследствие увеличения доли примесного рассеяния.