Эффект немонотонной зависимости шума $1/f$ от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках

Обнаружен эффект немонотонной зависимости уровня шума $1/f$ в кремнии от интенсивности подсветки. При температуре ${T\sim100\div150}$ K уровень шума с увеличением интенсивности подсветки вначале растет, а затем уменьшается. С дальнейшим увеличением интенсивности уровень шума падает до величины, меньшей, чем темновая. За эффект ответственны фотоны с энергией $\varepsilon_{\phi}\gtrsim\varepsilon_{g}$ ($\varepsilon_{g}$ — ширина запрещенной зоны кремния). Эффект максимален при ${\varepsilon_{\phi}\approx1.4}$ эВ. С повышением температуры эффект ослабевает и при ${T\gtrsim250}$ K не наблюдается.
Эффект объяснен в рамках модели объемного шума $1/f$. В модели предполагается, что шум $1/f$ обусловлен флуктуациями числа носителей на уровнях «хвоста» плотности состояний вблизи края зоны проводимости.