Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных $p{-}n$-переходов на основе карбида кремния

Приведены результаты исследования быстродействия, фоточувствительности в прямом смещении, а также параметров структуры карбид-кремниевых $p{-}n^{*}{-}n$-переходов, полученных диффузией бора в кристаллы с отклонением от стехиометрии. Обнаружена однозначная корреляция между фоточувствительностью в ближней ИК области спектра при ${\lambda\approx0.9}$ мкм и отклонением от стехиометрии. Обнаружено, что введение избыточных углеродных вакансий увеличивает инерционность $p{-}n^{*}{-}n$-структур, вероятно, вследствие модуляции заряда глубоких ловушек в базовой области.