RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 5, страницы 871–874 (Mi phts3842)

Поведение центров золота в кремнии $n$-типа после нейтронного и $\gamma$-облучения и механической обработки поверхности

Ю. А. Капустин, Б. М. Колокольников, В. В. Котов, А. В. Медведков


Аннотация: Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ) проведено исследование влияния нейтронного и $\gamma$-облучения и механической обработки поверхности на поведение центров золота в кремнии $n$-типа. Установлено, что нейтронное облучение дозой более $10^{14}\,\text{см}^{-2}$ и механическая обработка поверхности приводят к значительному уменьшению концентрации электрически активных центров золота в $n$-кремнии, а $\gamma$-облучение дозой до $10^{8}$ рад не изменяет их концентрации. На основании полученных результатов сделан вывод о том, что переход электрически активных центров золота в $n$-Si в электрически неактивное состояние обусловлен изменением их динамического поведения, связанного с воздействием полей упругих напряжений, возникающих в образцах после нейтронного облучения дозой ${>10^{14}\,\text{см}^{-2}}$ и механической обработки поверхности.



© МИАН, 2024