Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП структур при облучении

Приведены результаты численного моделирования процесса накопления радиационно-индуцированного объемного заряда (РИЗ) в двуокиси кремния МОП структур. В основу расчетов положена диффузионно-дрейфовая модель, учитывающая неоднородное распределение ловушек по объему диэлектрика и процессы туннелирования носителей, захваченных на ловушки. Из сравнения экспериментальных результатов для окислов различной толщины с даннымн расчетов выделены основные физические процессы, влияющие на накопление РИЗ, а также предсказан характер заполнения центров захвата в объем о диэлектрика при наличии напряжения на затворе МОП структуры во время облучения.