Пьезомодуляционный эффект в структурах с квантовыми ямами

Для различных направлений плоскости роста периодической структуры относительно главных кристаллографических осей получены соотношения, связывающие поляризацию (упругие деформации) в слоях сверхрешетки с упругими (электрическими) силами, действующими в них. В зависимости от величины наведенного пьезоэффектом электрического поля проведены оценки относительного смещения нижних уровней размерного квантования в потенциальной яме, образованной слоем In$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As в GaAs. Проанализированы связанные с эффектом параметрической модуляции характеристик системы особенности поглощения высокочастотного излучения на частоте межуровневых переходов.