Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si : Ge, облученных нейтронами

Исследуется трансформация точечных радиационных дефектов при изохронном отжиге облученных нейтронами Si и Si : Ge. Обнаружено, что при отжиге в интервале температур ${423\div493}$ K наблюдается появление ряда новых центров, дающих полосы поглощения в области $A$-центра. Показано, что в состав этих центров входят вакансия и кислород. Установлено, что преобразование центров $VO$ в $VO_{2}$2 при отжиге происходит не прямой диффузией $VO$ к межузельному кислороду, как это имеет место в облученных электронами кристаллах, а через промежуточную стадию. Процессы трансформации центров при отжиге Si и Si : Ge проходят идентично.