Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в гетероструктурах с 2МЭГ

Разработана комплексная неразрушающая методика исследования переходной области, на гетерогранице, включающая в себя метод отношения разностей фотоэмиссии электронов на скачках рентгеновского поглощения, метод эллипсометрической микроскопии, а также метод, связанный с изучением отрицательного магнитосопротивления двумерного электронного газа (2МЭГ) на гетерогранице в магнитном поле, перпендикулярном и параллельном гетерогранице. Проведена апробация этой методики на примере исследования гетероструктур InGaAs/InP с 2МЭГ, выращенных жидкофазной эпитаксией. В результате установлено, что общая толщина переходной области на гетерогранице составляет 120 Å, из них 80 Å — крупномасштабные (100 мкм) флуктуации толщины верхнего слоя, 7$-$10 Å — мелкомасштабные ($<0.2$ мкм) пространственные флуктуации гетерограницы.