Изгиб зон в арсениде галлия при формировании омического контакта (омические исследования)

Исследовалось поведение изгиба зон в полупроводнике при формировании омического контакта в системе Ga$-$GaAs (110). Использовался арсенид галлия $n$- и $p$-типа проводимости разного уровня легирования. Диагностика изгиба зон осуществлялась с помощью поляризационных спектров отражения поверхностей (110), которые регистрировались после отжига структур Ga$-$GaAs при различных температурах и последующего удаления металла. При термообработке часть полупроводника растворяется в жидком галлии и рекристаллизуется в неупорядоченный слой при высокой скорости охлаждения. Анализ полученных спектров показывает, что величина изгиба зон в кристаллически совершенном полупроводнике под неупорядоченным слоем зависит от толщины последнего. Установлено, что в легированном GaAs при толщинах неупорядоченного слоя $\sim 0.1$ ширины области объемного заряда эта величина значительно уменьшается, что способствует возникновению омического контакта. Обнаруженные явления на качественном уровне соответствуют модели омического контакта, основанной на существовании между металлом и полупроводником сильно неупорядоченного или аморфного слоя.