RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6, страницы 1038–1041 (Mi phts3876)

Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия

В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров


Аннотация: Рассмотрена вероятность вхождения примесей IV группы (C, Si, Ge, Sn) в различные кристаллохимические позиции решетки арсенида галлия. Модель основана на сравнении величин энтальпий растворения примесей в позициях замещения и внедрения. Энтальпия растворения рассчитывалась с использованием представлений о химической связи примесных атомов с атомами кристаллической решетки. Величина энергии химической связи определялась с помощью квантово-химического метода Малликена. Показано, что примеси IV группы занимают позиции замещения, причем для углерода характерно замещение атомов мышьяка, а для остальных — атомов галлия.



© МИАН, 2024