Аннотация:
Рассмотрена вероятность вхождения примесей IV группы (C, Si, Ge, Sn)
в различные кристаллохимические позиции решетки арсенида галлия. Модель
основана на сравнении величин энтальпий растворения примесей в позициях
замещения и внедрения. Энтальпия растворения рассчитывалась с использованием
представлений о химической связи примесных атомов с атомами кристаллической
решетки. Величина энергии химической связи определялась с помощью
квантово-химического метода Малликена. Показано, что примеси IV группы
занимают позиции замещения, причем для углерода характерно замещение атомов
мышьяка, а для остальных — атомов галлия.