RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6, страницы 1062–1066 (Mi phts3881)

Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в $P{-}i{-}N$-гетероструктурах при электропоглощении света

Д. М. Бутусов, Г. Г. Гоцадзе, Б. С. Рыкин, Р. А. Сурис


Аннотация: Показано, что перераспределение электрического поля в пределах $i$-слоя $P{-}i{-}N$-re-героструктур за счет дрейфа фотоносителей, образованных при электропоглощении света, приводит к сильной оптической нелинейности вплоть до проявления оптической бистабильностп. Описанная $P{-}i{-}N$-гетероструктура позволяет в принципе осуществить одновременное независимое функционирование на ее площади большого числа элементов типа SEED без разделения ее на отдельные части: каждый независимый элемент может быть выделен своим пятном засветки.



© МИАН, 2024