Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неосновных носителей заряда

Исследовались МТДП структуры на $n$-кремнии со скоростью генерации носителей заряда, недостаточной для накопления у поверхности полупроводника значительного заряда дырок. Показано, что в этих условиях плотность обратного тока через структуру вблизи края полевого электрода $j_{L}$ на порядки превышает плотность тока в ее центральной части $j_{0}$. Зависимость $j_{0}$ от напряжения $V$ на полевом электроде качественно отличается от таковой в случае накопления дырок. В соответствии с развитой теорией она линейна и из нее можно определить толщину диэлектрика $d$ и эффективную проницаемость барьера для электронов $D_{n}$.
Увеличение путем освещения структуры скорости генерации носителей заряда ослабляет неоднородность токопрохождения и приводит к вольтамперной характеристике, характерной для режима накопления у поверхности дырок.