А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов $p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te”, Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6,страницы 1072

Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов $p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te

А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев

Аннотация: В результате комплексного исследования подвижности носителей тока, магнитосопротивления и фотопроводимости в твердых растворах $p$-GaInSbAs, выращенных на подложке $n$-GaSb : Te, выявлены кластерные образования, которые могут быть обусловлены дефектами, за которые ответствен Te, продиффундировавший в эпитаксиальный слой из подложки. Показана значительная роль кластерных образований в механизме рассеяния и переносе носителей тока, определены параметры этих скоплений.