Моделирование переноса электронов в реальном пространстве гетероструктуры GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As (для малых и больших значений $x$)

Решена задача о транспорте горячих электронов вдоль многослойной селективно-легированной гетероструктуры GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As с резкими переходами в заданном продольном электрическом поле с учетом самосогласованного перераспределения электронов и электростатического потенциала между слоями и в пределах слоев. Расчеты выполнены не только для традиционных гетеропар с долей Al $x<0.45$, но и для структур с ${x=0.8}$. В традиционном случае показано, что пиковые дрейфовые скорости электронов могут быть как выше таковых для чистого GaAs, так и ниже их (в зависимости от $x$ и от толщин слоев). Отношение же пиковой скорости к минимальной в случае гетеропар всегда выше.
Особенно велико оно при больших значениях $x$, когда перенос в реальном пространстве становится также и междолинным $\Gamma X$-переносом на гетерогранице.
Исследована инерционность установления стационарных состояний.