П. М. Клингер, В. И. Фистуль, “Параметры компенсирующих центров в $n$-Si сильно компенсированным облучением”, Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6,страницы 1118

ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6, страницы 1118–1120 (Mi phts3894)

Краткие сообщения

Параметры компенсирующих центров в $n$-Si сильно компенсированным облучением

П. М. Клингер, В. И. Фистуль