RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6, страницы 1145–1147 (Mi phts3905)

Краткие сообщения

Инвертированная гетероструктура InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As для полевого транзистора

А. М. Крещук, Е. П. Лаурс, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, Е. М. Семашко, М. А. Стовповой, А. Я. Шик




© МИАН, 2024